maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / HMLQ20161T-2R2MDR
Référence fabricant | HMLQ20161T-2R2MDR |
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Numéro de pièce future | FT-HMLQ20161T-2R2MDR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HMLQ20161T |
HMLQ20161T-2R2MDR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Metal |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.2A |
Courant - Saturation | 2.45A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HMLQ20161T-2R2MDR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HMLQ20161T-2R2MDR-FT |
CMLE053T-6R8MS
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XC6SLX150-3FGG900I
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XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
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5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
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