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ON Semiconductor HGTP5N120BND

Name: HGTP5N120BND
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGTP5N120BND
Price: 1.323288 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (694 reviews)

Numéro de pièce MFG: HGTP5N120BND

quantité disponible: 36720 Pièces

Prix de référence: USD 1.323288

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - IGBT 1200V 21A 167W TO220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HGTP5N120BND.pdf

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HGTP5N120BND Caractéristiques

Référence fabricant	HGTP5N120BND
Numéro de pièce future	FT-HGTP5N120BND
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
HGTP5N120BND Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type IGBT	NPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	21A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 5A
Puissance - Max	167W
Énergie de commutation	450µJ (on), 390µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	53nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	22ns/160ns
Condition de test	960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	65ns
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-220-3
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTP5N120BND Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HGTP5N120BND-FT

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