maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / HGTP3N60A4D
Référence fabricant | HGTP3N60A4D |
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Numéro de pièce future | FT-HGTP3N60A4D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HGTP3N60A4D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 17A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 40A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
Puissance - Max | 70W |
Énergie de commutation | 37µJ (on), 25µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 21nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 6ns/73ns |
Condition de test | 390V, 3A, 50 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 29ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGTP3N60A4D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HGTP3N60A4D-FT |
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