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ON Semiconductor HGTP10N120BN

Numéro de pièce MFG
HGTP10N120BN
quantité disponible
99380 Pièces
Prix de référence
USD 1.427168
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
HGTP10N120BN.pdf
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HGTP10N120BN Caractéristiques

Référence fabricant HGTP10N120BN
Numéro de pièce future FT-HGTP10N120BN
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
HGTP10N120BN Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type IGBT NPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 35A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max 298W
Énergie de commutation 320µJ (on), 800µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 100nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/165ns
Condition de test 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-220-3
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTP10N120BN Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange HGTP10N120BN-FT

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