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ON Semiconductor HGT1S10N120BNST

Name: HGT1S10N120BNST
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGT1S10N120BNST
Price: 1.442368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (138 reviews)

Numéro de pièce MFG: HGT1S10N120BNST

quantité disponible: 95280 Pièces

Prix de référence: USD 1.442368

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HGT1S10N120BNST.pdf

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HGT1S10N120BNST Caractéristiques

Référence fabricant	HGT1S10N120BNST
Numéro de pièce future	FT-HGT1S10N120BNST
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
HGT1S10N120BNST Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	NPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	35A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max	298W
Énergie de commutation	320µJ (on), 800µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	100nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	23ns/165ns
Condition de test	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur	TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S10N120BNST Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HGT1S10N120BNST-FT

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