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Référence fabricant | HFA08TB60S |
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Numéro de pièce future | FT-HFA08TB60S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFRED® |
HFA08TB60S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 55ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HFA08TB60S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HFA08TB60S-FT |
BYV29B-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-150-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-150HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel