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Référence fabricant | HFA08TB120S |
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Numéro de pièce future | FT-HFA08TB120S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFRED® |
HFA08TB120S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.3V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 95ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HFA08TB120S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HFA08TB120S-FT |
BYV29B-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-300HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel