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Référence fabricant | HFA06TB120S |
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Numéro de pièce future | FT-HFA06TB120S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFRED® |
HFA06TB120S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3V @ 6A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 80ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HFA06TB120S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HFA06TB120S-FT |
BYS459B-1500SE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS459B-1500SE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-300-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-300HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation