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Référence fabricant | HERAF806G C0G |
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Numéro de pièce future | FT-HERAF806G C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HERAF806G C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 80ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERAF806G C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HERAF806G C0G-FT |
SF1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1040 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1040HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1060 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERAF1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel