maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / HERA808G C0G
Référence fabricant | HERA808G C0G |
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Numéro de pièce future | FT-HERA808G C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HERA808G C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 80ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERA808G C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HERA808G C0G-FT |
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS11(TE85L,Q,M)
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CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG03(TE85L,Q,M)
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CRG04(TE85L,Q,M)
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A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel