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Référence fabricant | HERA807G C0G |
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Numéro de pièce future | FT-HERA807G C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HERA807G C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 80ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERA807G C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HERA807G C0G-FT |
SFA1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA801G C0G
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SFA801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA802GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
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LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel