maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / HER307GT-G
Référence fabricant | HER307GT-G |
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Numéro de pièce future | FT-HER307GT-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER307GT-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-27 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER307GT-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER307GT-G-FT |
EU 1
Sanken
EU 1V
Sanken
EU 1V0
Sanken
EU 1V1
Sanken
EU 1Z
Sanken
EU 1ZV
Sanken
EU 1ZV0
Sanken
EU 1ZV1
Sanken
EU 2
Sanken
EU 2A
Sanken
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel