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Référence fabricant | HER307G R0G |
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Numéro de pièce future | FT-HER307G R0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER307G R0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER307G R0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER307G R0G-FT |
2A06G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A07G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A07GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR151G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR151G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel