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Référence fabricant | HER108S-AP |
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Numéro de pièce future | FT-HER108S-AP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER108S-AP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 40V |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | A-405 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER108S-AP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER108S-AP-FT |
GP10AE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10BE-075E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10D-5400M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10D-6453M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-013M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-132M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-138M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-5022M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-6295M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-7010M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900I
Xilinx Inc.
XCKU040-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG901C
Xilinx Inc.