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Référence fabricant | HER106G A0G |
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Numéro de pièce future | FT-HER106G A0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER106G A0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER106G A0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER106G A0G-FT |
SR520HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR802 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR802 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR802HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR802HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR803 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR803 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR803HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR803HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR804HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
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Microsemi Corporation
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5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
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EP4SGX110HF35I3
Intel