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Référence fabricant | HER103S-AP |
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Numéro de pièce future | FT-HER103S-AP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER103S-AP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 40V |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | A-405 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER103S-AP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER103S-AP-FT |
GP10-4002-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4002-M3S/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4002E-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4002E-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006E-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006E-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10A-5016M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10AE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel