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Référence fabricant | HER102G R1G |
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Numéro de pièce future | FT-HER102G R1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER102G R1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER102G R1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER102G R1G-FT |
1N4001G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4001GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4001GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4001GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4002G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4002G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4002G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4002GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4002GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4002GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel