maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / HER1003G C0G
Référence fabricant | HER1003G C0G |
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Numéro de pièce future | FT-HER1003G C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER1003G C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER1003G C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER1003G C0G-FT |
MBRF30150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel