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Référence fabricant | HER1002G C0G |
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Numéro de pièce future | FT-HER1002G C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER1002G C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER1002G C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER1002G C0G-FT |
MBRF30100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF30200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF3050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel