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Référence fabricant | HC9-3R3-R |
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Numéro de pièce future | FT-HC9-3R3-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HC9 |
HC9-3R3-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 14.3A |
Courant - Saturation | 22A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 4.87 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 155°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.555" L x 0.516" W (14.10mm x 13.10mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.295" (7.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HC9-3R3-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HC9-3R3-R-FT |
MPI4040R3-R22-R
Eaton - Electronics Division
MPI4040R3-R47-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-221M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-6R8M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-220M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-101M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-100M-R
Eaton - Electronics Division
LD1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
LD1-470-R
Eaton - Electronics Division
LD1-100-R
Eaton - Electronics Division
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
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LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel