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Référence fabricant | HC9-330-R |
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Numéro de pièce future | FT-HC9-330-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HC9 |
HC9-330-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 33µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 4.42A |
Courant - Saturation | 7A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 48.8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 155°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.555" L x 0.516" W (14.10mm x 13.10mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.295" (7.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HC9-330-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HC9-330-R-FT |
SD25-1R2-R
Eaton - Electronics Division
SD25-470-R
Eaton - Electronics Division
SD25-4R7-R
Eaton - Electronics Division
SD25-6R8-R
Eaton - Electronics Division
SD25-8R2-R
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SD25-1R5-R
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SD25-220-R
Eaton - Electronics Division
SD25-221-R
Eaton - Electronics Division
SD25-330-R
Eaton - Electronics Division
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
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5AGXBA5D4F35I5N
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EP2S180F1508C4N
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