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Référence fabricant | HC9-2R2-R |
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Numéro de pièce future | FT-HC9-2R2-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HC9 |
HC9-2R2-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 17.2A |
Courant - Saturation | 26A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 3.37 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 155°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.555" L x 0.516" W (14.10mm x 13.10mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.295" (7.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HC9-2R2-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HC9-2R2-R-FT |
MPI4040R3-R47-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-221M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-6R8M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-220M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-101M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-100M-R
Eaton - Electronics Division
LD1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
LD1-470-R
Eaton - Electronics Division
LD1-100-R
Eaton - Electronics Division
LD1-120-R
Eaton - Electronics Division
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel