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Référence fabricant | HC9-1R5-R |
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Numéro de pièce future | FT-HC9-1R5-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HC9 |
HC9-1R5-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 21A |
Courant - Saturation | 32A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 2.27 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 155°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.528" L x 0.516" W (13.40mm x 13.10mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.295" (7.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HC9-1R5-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HC9-1R5-R-FT |
LDS0705-6R8M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-220M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-101M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-100M-R
Eaton - Electronics Division
LD1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
LD1-470-R
Eaton - Electronics Division
LD1-100-R
Eaton - Electronics Division
LD1-120-R
Eaton - Electronics Division
LD1-150-R
Eaton - Electronics Division
LD1-180-R
Eaton - Electronics Division
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel