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Référence fabricant | HBA82MFZRE |
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Numéro de pièce future | FT-HBA82MFZRE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB, CGS |
HBA82MFZRE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 82 MOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 0.4W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 0.315" L x 0.102" W (8.00mm x 2.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.492" (12.50mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBA82MFZRE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HBA82MFZRE-FT |
H83K0FDA
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LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel