maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / HB35M0FZRE
Référence fabricant | HB35M0FZRE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HB35M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB, CGS |
HB35M0FZRE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 5 MOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 2W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.409" (10.40mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB35M0FZRE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HB35M0FZRE-FT |
H845K3BYA
TE Connectivity Passive Product
H847KFCA
TE Connectivity Passive Product
H8750RDCA
TE Connectivity Passive Product
H878R7BYA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BCA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BDA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BZA
TE Connectivity Passive Product
H8866RBYA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BDA
TE Connectivity Passive Product
XC4008E-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX155-3FFG1153C
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation