maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / HB35M0FZRE
Référence fabricant | HB35M0FZRE |
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Numéro de pièce future | FT-HB35M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB, CGS |
HB35M0FZRE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 5 MOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 2W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.409" (10.40mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB35M0FZRE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HB35M0FZRE-FT |
H845K3BYA
TE Connectivity Passive Product
H847KFCA
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LFE2-12E-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-L1FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
5SGXMA7H2F35I3N
Intel
XC6SLX16-3CSG225I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100I
Microsemi Corporation