maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / HB33M0FZRE
Référence fabricant | HB33M0FZRE |
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Numéro de pièce future | FT-HB33M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB, CGS |
HB33M0FZRE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 3 MOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 2W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.409" (10.40mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB33M0FZRE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HB33M0FZRE-FT |
H886R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BDA
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H888R7BCA
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XC2V250-5FGG456I
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5SGSMD4E3H29C2N
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5SGXEB5R3F43I3L
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5SGXEB6R3F43C2
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5SGXMA3K2F35I2N
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XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400E-5MG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EBC356-1X
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EP20K60EBC356-2X
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