maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / HB31G0FZRE
Référence fabricant | HB31G0FZRE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HB31G0FZRE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB, CGS |
HB31G0FZRE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 1 GOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 2W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.409" (10.40mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB31G0FZRE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HB31G0FZRE-FT |
H847KFCA
TE Connectivity Passive Product
H8750RDCA
TE Connectivity Passive Product
H878R7BYA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BCA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BDA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BZA
TE Connectivity Passive Product
H8866RBYA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BDA
TE Connectivity Passive Product
H888R7BCA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO640E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
AFS1500-1FG256
Microsemi Corporation
5SGXEABK2H40C3N
Intel
XC5VLX330-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel
EP20K1000CB652C9ES
Intel
EPF10K30RI240-4
Intel