maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / HB13M0FZRE
Référence fabricant | HB13M0FZRE |
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Numéro de pièce future | FT-HB13M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB, CGS |
HB13M0FZRE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 3 MOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.409" (10.40mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB13M0FZRE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HB13M0FZRE-FT |
H893R1BDA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBCA
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XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC7A25T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1
Intel
5SGXEA5K2F40I2N
Intel
5CEFA7M15I7N
Intel
XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP1S80F1508I7
Intel