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Référence fabricant | HB1300MFZRE |
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Numéro de pièce future | FT-HB1300MFZRE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB, CGS |
HB1300MFZRE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 300 MOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.409" (10.40mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB1300MFZRE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HB1300MFZRE-FT |
H8953RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBZA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BCA
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LFXP3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
XC4013XL-2HT176C
Xilinx Inc.
EP1K100FC256-3N
Intel
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation