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Référence fabricant | HB110MFZRE |
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Numéro de pièce future | FT-HB110MFZRE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HB, CGS |
HB110MFZRE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10 MOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Radial Lead |
Taille / Dimension | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.409" (10.40mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB110MFZRE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HB110MFZRE-FT |
H895R3BCA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BDA
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LCMXO640E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XA7A75T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQG176
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C3N
Intel
A42MX09-2PQ160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50BC356-4
Intel
EP1C12F324C7
Intel
EPF10K50SQC240-3
Intel