maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / HAF1002-90STL-E
Référence fabricant | HAF1002-90STL-E |
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Numéro de pièce future | FT-HAF1002-90STL-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HAF1002-90STL-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | +3V, -16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 4-LDPAK |
Paquet / caisse | SC-83 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAF1002-90STL-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HAF1002-90STL-E-FT |
RJK6015DPK-00#T0
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RJK6018DPK-00#T0
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RJK6020DPK-00#T0
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XC4005E-2TQ144I
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M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
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