maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / HAF1002-90STL-E
Référence fabricant | HAF1002-90STL-E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HAF1002-90STL-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HAF1002-90STL-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | +3V, -16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 4-LDPAK |
Paquet / caisse | SC-83 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAF1002-90STL-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HAF1002-90STL-E-FT |
RJK6015DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK6018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK6020DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJL5014DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJL5020DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJL6020DPK-00#T0
Renesas Electronics America
2SK2315TYTR-E
Renesas Electronics America
RQK0607AQDQS#H1
Renesas Electronics America
RJK60S7DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0703DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel