maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H878R7BDA
Référence fabricant | H878R7BDA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H878R7BDA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H878R7BDA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 78.7 Ohms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±25ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H878R7BDA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H878R7BDA-FT |
H871K5DZA
TE Connectivity Passive Product
H871R5BCA
TE Connectivity Passive Product
H871R5BDA
TE Connectivity Passive Product
H871R5BYA
TE Connectivity Passive Product
H871R5BZA
TE Connectivity Passive Product
H871R5DCA
TE Connectivity Passive Product
H871R5DYA
TE Connectivity Passive Product
H871R5DZA
TE Connectivity Passive Product
H8732KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8732KBDA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel