maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H823R2BZA
Référence fabricant | H823R2BZA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H823R2BZA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H823R2BZA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 23.2 Ohms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H823R2BZA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H823R2BZA-FT |
H4P86K6DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P86K6DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P909RDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P909RDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P90K9DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P91KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P91KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P953RDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P953RDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P95K3DCA
TE Connectivity Passive Product
A1020B-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V2000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FG484C
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152C2
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81500AQC240-2
Intel