maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H811R3BDA
Référence fabricant | H811R3BDA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H811R3BDA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H811R3BDA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 11.3 Ohms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±25ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H811R3BDA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H811R3BDA-FT |
H8105RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8105RDCA
TE Connectivity Passive Product
H8105RDYA
TE Connectivity Passive Product
H8105RDZA
TE Connectivity Passive Product
H8107RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8107RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8107RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8107RBZA
TE Connectivity Passive Product
H810K2BYA
TE Connectivity Passive Product
H810K2BZA
TE Connectivity Passive Product
XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484I7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EP3C40F780C8N
Intel
EP2S130F780C4N
Intel
EP20K60EQC208-3N
Intel