maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H8110RFYA
Référence fabricant | H8110RFYA |
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Numéro de pièce future | FT-H8110RFYA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H8110RFYA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 110 Ohms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±15ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8110RFYA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H8110RFYA-FT |
H4P910KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P910KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910RFCA
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H4P95R3DCA
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H4P95R3DZA
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H4P9K09DCA
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XC6SLX75-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-FG676
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40C2LN
Intel
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel