maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H810RDZA
Référence fabricant | H810RDZA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H810RDZA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H810RDZA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10 Ohms |
Tolérance | ±0.5% |
Puissance (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810RDZA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H810RDZA-FT |
H4P82RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P82RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P866KDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P866KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P86R6DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K06FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K25DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K25DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K2FCA
TE Connectivity Passive Product
H4P8K66DCA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX75-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-FG676
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40C2LN
Intel
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel