maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H810RBDA
Référence fabricant | H810RBDA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H810RBDA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H810RBDA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10 Ohms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±25ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810RBDA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H810RBDA-FT |
H4P820KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P820RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P820RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P82KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P82R5DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P82RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P82RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P866KDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P866KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P86R6DZA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel