maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H810R2BZA
Référence fabricant | H810R2BZA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H810R2BZA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H810R2BZA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10.2 Ohms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810R2BZA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H810R2BZA-FT |
H4P75RDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P75RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P75RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P78K7DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P78K7DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P78R7DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P78R7DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K5DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K5DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K5FCA
TE Connectivity Passive Product
A1020B-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V2000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FG484C
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152C2
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81500AQC240-2
Intel