maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H810K2BDA
Référence fabricant | H810K2BDA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H810K2BDA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H810K2BDA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10.2 kOhms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±25ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810K2BDA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H810K2BDA-FT |
H411K8BCA
TE Connectivity Passive Product
H411K8BZA
TE Connectivity Passive Product
H411KBCA
TE Connectivity Passive Product
H411KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4121KBCA
TE Connectivity Passive Product
H4121KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4124KBCA
TE Connectivity Passive Product
H4124KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4127KBCA
TE Connectivity Passive Product
H4127KBZA
TE Connectivity Passive Product
A1010B-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC2VP2-6FG456I
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1CPGA196I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U1F45I1SG
Intel
EP3C40F780C8
Intel
EP1C20F324C7N
Intel
EPF10K100EQC240-2X
Intel