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Renesas Electronics America H7N1002LSTL-E

Name: H7N1002LSTL-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: H7N1002LSTL-E
Availability: InStock
Rating: 5.0 (497 reviews)

Numéro de pièce MFG: H7N1002LSTL-E

quantité disponible: 71880 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 100V LDPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: H7N1002LSTL-E.pdf

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H7N1002LSTL-E Caractéristiques

Référence fabricant	H7N1002LSTL-E
Numéro de pièce future	FT-H7N1002LSTL-E
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
H7N1002LSTL-E Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	75A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9700pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	4-LDPAK
Paquet / caisse	SC-83
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H7N1002LSTL-E Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	H7N1002LSTL-E-FT

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