maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H4P649RDZA
Référence fabricant | H4P649RDZA |
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Numéro de pièce future | FT-H4P649RDZA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H4P649RDZA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 649 Ohms |
Tolérance | ±0.5% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P649RDZA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H4P649RDZA-FT |
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Microsemi Corporation
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XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6F23C7N
Intel
10AX115N4F45I3SG
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EPF10K50VBC356-2N
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