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Référence fabricant | H430R1BYA |
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Numéro de pièce future | FT-H430R1BYA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H430R1BYA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 30.1 Ohms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±15ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H430R1BYA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H430R1BYA-FT |
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Intel
EP4CE6E22I7N
Intel
LFEC10E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8L
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EP20K100EQI240-3
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