maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H418R2BYA
Référence fabricant | H418R2BYA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H418R2BYA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H418R2BYA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 18.2 Ohms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±15ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H418R2BYA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H418R2BYA-FT |
H416K2BDA
TE Connectivity Passive Product
H416K2BYA
TE Connectivity Passive Product
H416K2BZA
TE Connectivity Passive Product
H416K2DCA
TE Connectivity Passive Product
H416K2DYA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BCA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BDA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BYA
TE Connectivity Passive Product
H416K5BZA
TE Connectivity Passive Product
H416K9BCA
TE Connectivity Passive Product
LFEC6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8N
Intel
10AX027H3F34E2LG
Intel
XC7K355T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40E3SG
Intel
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EP20K200CB652C7
Intel