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Référence fabricant | H413R3DYA |
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Numéro de pièce future | FT-H413R3DYA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H413R3DYA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 13.3 Ohms |
Tolérance | ±0.5% |
Puissance (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±15ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H413R3DYA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H413R3DYA-FT |
H411R8BCA
TE Connectivity Passive Product
H411R8BDA
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LFE2-12E-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-L1FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
5SGXMA7H2F35I3N
Intel
XC6SLX16-3CSG225I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100I
Microsemi Corporation