maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H412R7BDA
Référence fabricant | H412R7BDA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H412R7BDA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H412R7BDA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 12.7 Ohms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±25ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H412R7BDA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H412R7BDA-FT |
H410R5DYA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BCA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BDA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BYA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BZA
TE Connectivity Passive Product
H410RBCA
TE Connectivity Passive Product
H410RBDA
TE Connectivity Passive Product
H410RBYA
TE Connectivity Passive Product
H410RBZA
TE Connectivity Passive Product
H410RDYA
TE Connectivity Passive Product
AT6010A-2AI
Microchip Technology
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I2L
Intel
10AX027E4F27I3SG
Intel
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35C6
Intel
EP3C40Q240C8N
Intel