maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H412K1BDA
Référence fabricant | H412K1BDA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H412K1BDA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H412K1BDA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 12.1 kOhms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±25ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H412K1BDA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H412K1BDA-FT |
H4107RBCA
TE Connectivity Passive Product
H4107RBDA
TE Connectivity Passive Product
H4107RBYA
TE Connectivity Passive Product
H4107RBZA
TE Connectivity Passive Product
H4107RFYA
TE Connectivity Passive Product
H410K2BDA
TE Connectivity Passive Product
H410K5BDA
TE Connectivity Passive Product
H410K5DYA
TE Connectivity Passive Product
H410K7BDA
TE Connectivity Passive Product
H410KBAA
TE Connectivity Passive Product
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100
Microsemi Corporation
A1440A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA4K2F35C2N
Intel
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
LFXP20E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1020I6N
Intel