maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H410R5BYA
Référence fabricant | H410R5BYA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H410R5BYA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H410R5BYA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10.5 Ohms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±15ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H410R5BYA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H410R5BYA-FT |
H8681KDYA
TE Connectivity Passive Product
H8681KDZA
TE Connectivity Passive Product
H868KFDA
TE Connectivity Passive Product
H868KFYA
TE Connectivity Passive Product
H868KFZA
TE Connectivity Passive Product
H86K19DYA
TE Connectivity Passive Product
H86K19DZA
TE Connectivity Passive Product
H86K49DYA
TE Connectivity Passive Product
H86K81DYA
TE Connectivity Passive Product
H86K81DZA
TE Connectivity Passive Product
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel