maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / H410R2BDA
Référence fabricant | H410R2BDA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H410R2BDA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Holco, Holsworthy |
H410R2BDA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10.2 Ohms |
Tolérance | ±0.1% |
Puissance (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composition | Metal Film |
Caractéristiques | Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±25ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H410R2BDA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H410R2BDA-FT |
H862KFYA
TE Connectivity Passive Product
H862KFZA
TE Connectivity Passive Product
H8649KDCA
TE Connectivity Passive Product
H8649KDYA
TE Connectivity Passive Product
H8649KDZA
TE Connectivity Passive Product
H8681KDYA
TE Connectivity Passive Product
H8681KDZA
TE Connectivity Passive Product
H868KFDA
TE Connectivity Passive Product
H868KFYA
TE Connectivity Passive Product
H868KFZA
TE Connectivity Passive Product
LFE2-12E-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-L1FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
5SGXMA7H2F35I3N
Intel
XC6SLX16-3CSG225I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100I
Microsemi Corporation