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H11G2VM Image

ON Semiconductor H11G2VM

Numéro de pièce MFG
H11G2VM
quantité disponible
51400 Pièces
Prix de référence
USD 0.427624
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
H11G2VM.pdf
H11G2VM Image

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H11G2VM Caractéristiques

Référence fabricant H11G2VM
Numéro de pièce future FT-H11G2VM
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
H11G2VM Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Nombre de canaux 1
Tension - Isolement 4170Vrms
Ratio de transfert actuel (min) 1000% @ 10mA
Ratio de transfert actuel (max) -
Activer / Désactiver le temps (Typ) 5µs, 100µs
Temps de montée / descente (type) -
Type d'entrée DC
Le type de sortie Darlington with Base
Tension - Sortie (Max) 80V
Courant - Sortie / Canal -
Tension - Forward (Vf) (Typ) 1.3V
Courant - DC Forward (Si) (Max) 60mA
Vce Saturation (Max) 1V
Température de fonctionnement -40°C ~ 100°C
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Package d'appareils du fournisseur 6-DIP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H11G2VM Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange H11G2VM-FT

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