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ON Semiconductor H11G2TVM
- Numéro de pièce MFG
- H11G2TVM
- quantité disponible
- 58160 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.31884
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- H11G2TVM.pdf
H11G2TVM Caractéristiques
| Référence fabricant | H11G2TVM |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-H11G2TVM |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| H11G2TVM Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Nombre de canaux | 1 |
| Tension - Isolement | 4170Vrms |
| Ratio de transfert actuel (min) | 1000% @ 10mA |
| Ratio de transfert actuel (max) | - |
| Activer / Désactiver le temps (Typ) | 5µs, 100µs |
| Temps de montée / descente (type) | - |
| Type d'entrée | DC |
| Le type de sortie | Darlington with Base |
| Tension - Sortie (Max) | 80V |
| Courant - Sortie / Canal | - |
| Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
| Vce Saturation (Max) | 1V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| H11G2TVM Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | H11G2TVM-FT |
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